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美國主要存儲器公司美光財報顯示，6月至8月其銷售額為77.5 億美元，比上一季度增長了 14%，比去年同期增長了 93%。美光公司認(rèn)為，“存儲器的供需平衡由于 HBM（高帶寬存儲器） 比例的增加以及向下一代 NAND 工藝的過渡，明年的行業(yè)將會健康發(fā)展?！比欢雽?dǎo)體行業(yè)最近卻提出了存儲器市場不確定性進一步增加的擔(dān)憂，除人工智能（AI）之外的通用存儲器需求持續(xù)低迷，中國后來者正在積極擴大產(chǎn)量，存儲市場的未來正在引發(fā)擔(dān)憂。
關(guān)于存儲市場2025年的市場預(yù)測，這里進行簡單分析。
一、市場規(guī)模
總體規(guī)模增長：
據(jù)2024年6月份世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）數(shù)據(jù)，2024—2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為6112億、6874億美元，其中存儲芯片市場規(guī)模分別為1632億、2043億美元，占比約27%、30%，增速或遠(yuǎn)高于其他半導(dǎo)體品類。
細(xì)分市場：
今年以來，存儲芯片市場出現(xiàn)明顯分化，人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶動先進存儲產(chǎn)品需求強勢增長，但應(yīng)用在消費級產(chǎn)品上的存儲產(chǎn)品需求尚未明顯拉動。隨著生成式人工智能的發(fā)展，海量數(shù)據(jù)對存儲提出了更高的需求，以HBM、大容量SSD為代表的高性能先進存儲產(chǎn)品需求激增。TrendForce集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，展望2025年，HBM產(chǎn)品價格有望繼續(xù)上漲，目前部分供應(yīng)商已經(jīng)完成2025年年度合約價商談，預(yù)計產(chǎn)品價格同比上漲約10%。
二、技術(shù)發(fā)展
先進存儲技術(shù)推進：
我國多家存儲芯片廠商正持續(xù)加大研發(fā)投入，推動產(chǎn)品走向高端化，向先進存儲邁進。例如佰維SP506/516系列企業(yè)級PCle5.0 SSD產(chǎn)品，采用創(chuàng)新的SSD控制器芯片架構(gòu)，可實現(xiàn)超低且一致的讀寫延遲，具備優(yōu)秀的能效比表現(xiàn)；時創(chuàng)意的SCY系列高性能嵌入式閃存產(chǎn)品1TB UFS 3.1已經(jīng)進入量產(chǎn)，其高端存儲解決方案在不斷迭代。
三維新型存儲芯片：
古鰲科技預(yù)計2025年子公司新存科技將實現(xiàn)三維新型存儲芯片模組的量產(chǎn)，該芯片主要應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，具有差異化競爭優(yōu)勢。
三、價格走勢
HBM等先進存儲產(chǎn)品價格上漲：
由于人工智能對高性能存儲的需求持續(xù)旺盛，而供給相對有限，HBM等先進存儲產(chǎn)品價格有望繼續(xù)攀升，預(yù)計2025年同比上漲約10%。
DRAM價格下跌：
根據(jù)市場研究公司Trend Force的數(shù)據(jù)，因制程較成熟的DDR4和LPDDR4X供應(yīng)充足、需求減弱，其價格已呈現(xiàn)跌勢，9月底通用DRAM產(chǎn)品固定交易價格環(huán)比下跌17.07%，從9月份開始，NAND價格連續(xù)三個月下跌兩位數(shù)。預(yù)計2025年這種跌勢仍將持續(xù)，上半年的跌幅會更明顯。
四、市場競爭格局
國產(chǎn)替代加速：
隨著國內(nèi)以長鑫存儲和長江存儲為主的芯片企業(yè)不斷崛起，我國存儲芯片的自給率將逐步提升，2027年有望達到26.6%，這將進一步擠壓國外存儲芯片廠商在中國市場的份額，存儲芯片市場的國產(chǎn)替代空間巨大。
企業(yè)競爭加?。?/span>
全球存儲芯片市場競爭激烈，各企業(yè)紛紛加大研發(fā)投入、擴大產(chǎn)能以爭奪市場份額。如江波龍的企業(yè)級存儲業(yè)務(wù)不斷取得突破，持續(xù)開拓多個大型云服務(wù)提供商客戶；兆易創(chuàng)新作為全球第一的無晶圓廠Flash供應(yīng)商，其存儲芯片業(yè)務(wù)也有望在2025年繼續(xù)保持增長態(tài)勢。